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数量:18 |
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| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 封装 | Ammo |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-92S |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | No |
| 连续集电极电流 | 0.5 A |
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